摘自中國(guó)新聞網(wǎng)：來(lái)自中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的最新消息說(shuō)，該所劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)和中國(guó)科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)等開(kāi)展合作，共同研制出首款國(guó)產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅(SiC)功率器件及其電源系統(tǒng)，已成功通過(guò)太空第一階段驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用。
作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，SiC（碳化硅）憑借其優(yōu)異的物理和電學(xué)特性，尤其在高頻、高壓和大功率半導(dǎo)體器件中展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。
北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晶格領(lǐng)域”）近日獲得了北京市政府投資基金的重點(diǎn)投資。這一重大利好將進(jìn)一步加速公司在液相法碳化硅（SiC）襯底的研發(fā)和生產(chǎn)進(jìn)程，助力其成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料供應(yīng)商。
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