碳化硅（SiC）因其優(yōu)異的性能，成為電動(dòng)汽車、光伏和軌道交通等領(lǐng)域的重要材料。特別是n溝道絕緣柵雙極型晶體管（n-IGBT）因其高電壓和低導(dǎo)通電阻性能，廣泛應(yīng)用于基于4H-SiC的器件。
2024年6月5日-7日，2024寬禁帶半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用發(fā)展高峰論壇盛大召開。
4月28日，2024年慶?！拔逡弧眹H勞動(dòng)節(jié)暨全國五一勞動(dòng)獎(jiǎng)和全國工人先鋒號(hào)表彰大會(huì)在人民大會(huì)堂舉行，255個(gè)全國五一勞動(dòng)獎(jiǎng)狀、1088個(gè)全國五一勞動(dòng)獎(jiǎng)?wù)隆?034個(gè)全國工人先鋒號(hào)受到表彰。
2023年，碳化硅（SiC）半導(dǎo)體市場在電動(dòng)汽車和可再生能源設(shè)備等領(lǐng)域強(qiáng)勁的需求推動(dòng)下持續(xù)增長，越來越備受關(guān)注。
